Короткий аналіз результатів досліджень, які отримані у відділі хімії твердого тіла ІЗНХ НАН України в останнє десятиріччя.

Відділ твердофазного синтезу та кристалохімії неорганічних сполук було організовано в 1970 р. доктором хімічних наук В.П. Чалим, якій керував відділом до 1982 р. На базі цього відділу в 1982 р. організовано відділ електрофізичних матеріалів, який з 1998р. перейменовано в відділ “Хімія твердого тіла” (керівник – доктор хімічних наук Анатолій Григорович Білоус).

Основним науковим напрямком досліджень відділу твердофазного синтезу та кристалохімії неорганічних сполук, які проводились під керівництвом В.П. Чалого, являвся синтез неорганічних матеріалів шляхом термообробки сумісно осаджених важкорозчинних сполук – гідроксидів металів і вивчення їх властивостей. В зв‘язку з використанням гідроксидів металів як вихідних сполук проведено обширні дослідження по встановленню закономірностей між умовами осадження, хімічним складом, структурою і властивостями осадків. Результати дослідження узагальнені в монографії В.П. Чалого “Гідроксиди металів” [1].

Дослідження показали, що гідроксиди металів мають здатність вже при сумісному осадженні взаємодіяти один з одним, утворюючи гідроксосполуки, які являються передструктурою феритів двох структурних типів – ферошпінелі і ферогранати. Утворення передструктури в вигляді рентгеноаморфного полімерного утворення забезпечує синтез феритів з заданими і відтворюваними властивостями при більш низький температурі і незначному терміну термообробки осадків.

При синтезі ферогранатів лантаноїдів (від гадолінію до гольмію) і їх твердих розчинів вперше виявлено нове явище – бездифузний механізм їх утворення. Цей механізм було названо вибуховим, оскільки реакція між сумісно осадженими гідроксидами відповідних металів, закінчується протягом 1-5 хвилин в вузькому температурному інтервалі.

Значний вклад в дослідження бінарних і багатокомпонентних систем на їх основі гідроксидного способу отримання феритів і феритних матеріалі різного призначення внесли кандидати хімічних наук С.П. Роженко, О.М.Лукачина, Е.Б. Навосадова, З.Я. Макарова, Г.М. Новіцька. Були розроблені хімічні склади феритів з прямокутною петлею гістерезису, НВЧ – ферити, які працюють в умовах високих рівнів потужності, ферити з високою магнітною проникністю, які використовуються в магнітопроводах і висококоерцитивні матеріали для ідентифікаційних карт.

Розроблений гідроксидний спосіб отримання феритів був впроваджений на дослідному виробництві ІЗНХ АН УРСР, яке поставляло феритові порошки і вироби на їх основі на різні підприємства СРСР. Розроблений спосіб одержання феритів було впроваджено також на Київському науково-дослідному об‘єднанні “Маяк”. Завдяки чому одержували шихту для вирощування монокристалів, з яких виготовляли магнітні головки записуючих пристроїв.

Починаючи з 1982 року в відділі електрофізичних матеріалів, а пізніше і в відділі “Хімія твердого тіла” були продовжені дослідження по синтезу складних оксидних систем із розчинів, а також отримали розвиток нові наукові напрямки. В останні роки дослідження відділу направлені на синтез, вивчення структурних особливостей надвисокочастотних діелектриків, сегнето-електриків-напівпровідників (позисторні матеріали), іон провідних матеріалів і розробку на їх основі елементів і пристроїв для використання в техніці. Активну участь в розробку цих напрямків внесли кандидати хімічних наук О.В. Пашкова, О.З. Янчевський, О.І. В‘юнов, О.В. Овчар, Л.Л. Коваленко.

Результати досліджень, проведених співробітниками відділу, опубліковані в більше ніж 130 статтях, захищено понад 70 авторських патентів та свідотств. Підготовлена 1 докторська і 8 кандидатських дисертацій.

Надвисокочастотні діелектрики.

Надвисокочастотні (НВЧ) діелектрики знаходять широке використання в техніці при створені сучасних систем зв‘язку. Надвисокочастотні діелектрики повинні одночасно задовольняти кільком вимогам, зокрема, вони повинні характеризуватись високою діелектричною проникністю, низькими діелектричними втратами і високою термостабільністю електрофізичних властивостей в НВЧ – діапазоні хвиль. Синтез таких матеріалів являється складною науково-технічною задачею. Висока поляризуємість без значного поглинання енергії на частотах 10⁹…10¹¹ Гц може бути досягнута тільки за рахунок оптичної і інфрачервоної поляризації. Інші механізми оптичної поляризації не дають НВЧ діелектричного вкладу або обумовлюють НВЧ дисперсію, що приводить до високих діелектричних втрат [2]. Діелектричний вклад оптичної поляризації, як правило, незначний і характеризуються від’ємним температурним коефіцієнтом, що обумовлено температурною зміною густини діелектрика. Тому високу діелектричну проникність і низькі діелектричні втрати в НВЧ - діапазоні можуть бути в діелектриках з високим інфрачервоним вкладом в діелектричну проникність [2]. На жаль, значна величина інфрачервоної поляризації, як правило, зумовлена наявністю в кристалі м’якої фононної моди, яка змінюються з температурою по критичному закону, що приводить до значної температурної нестабільності властивостей. Тому нами при розробці нових НВЧ діелектриків проводиться дослідження в різних напрямках: розробляються однофазні [3-11] і багатофазні системи [12,13]. Однофазні НВЧ діелектрики розробляються на базі твердих розчинів [3, 5-7], а також запропоновано два нових напрямки, а саме, проводячи гетеровалентне заміщення в катіонних підгратках, можливо впливати на фононний спектр, тим самим, покращувати температурну стабільність електрофізичних матеріалів [4], а також створюючи мобільну підгратку [8]. Багатофазні НВЧ діелектрики розробляються шляхом створення градієнтних (композиційних) матеріалів [12], а також використовуючи ефект об’ємної термокомпенсації [13].

При вивченні НВЧ - діелектриків на основі твердих розчинів, нами вивчались системи, які кристалізуються в структуру калієво-вольфрамової бронзи. Показано, що при синтезі вище вказаної системи, спочатку утворюється фаза, яка відповідає максимальному значенню x, в межах яких утворюються тверді розчини. Утворення твердих розчинів проходить в результаті взаємодії фази і метатитанату барію. Показано, що на електрофізичні властивості твердих розчинів впливає розприділення іонів по різних кристалографічних положеннях [11].

Вперше вивчена можливість розробки НВЧ діелектриків, яка основана на впливі на фононний спектр часткового гетеровалентного заміщення [4]. Показано, що основним джерелом діелектричних втрат в субміліметровому діапазоні являється однофонноне поглинання, яке пов'язане з не упорядкованістю структури. В області частот 10¹⁰-10¹¹ Гц додатковий вклад вносять фононні процеси більш високого порядку. Гетеровалентне заміщення в катіонних підгратках сильно впливає на температурну стабільність матеріалів. Для пояснення цього впливу досліджувались ІЧ - спектри відбивання сполук [14]. Було показано, що гетеровалентне заміщення приводить до появи другого низькочастотного коливання в фононному спектрі, яке дозволяє впливати на температурну стабільність електрофізичних властивостей.

Вперше була показана можливість синтезу НВЧ - діелектриків шляхом створення мобільної підгратки [8].

При розробці НВЧ діелектриків на основі багатофазних систем вперше було запропоновано використовувати розроблені антисегнетоелектрики, як високодобротні фази з позитивним коефіцієнтом діелектричної проникності [12]. Крім того, вперше були розроблені НВЧ діелектрики, основані на використанні ефекту об’ємної термокомпенсації [13].

На основі синтезованих нових НВЧ діелектриків розробляються керамічні елементи (діелектричні резонатори, діелектричні підкладки для гібридних інтегральних схем НВЧ) [15, 16] які використовуються на підприємствах України. (Українське-російське закрите акціонерне підприємство "Фазотрон-Україна", НВО "Оріон", НВО "Голіос", НВО "Сатурн", НВО "Квант", НДІ "Радіоприлад" (місто Харків).

Сегнетоелектрики-напівпровідники

Сегнетоелектрики-напівпровідники на основі титанату барію, які характеризуються позитивним коефіцієнтом опору (ПТКО), представляють значни інтерес для примінення в техніці. ПТКО ефект зв'язаний з взаємодією сегнетоелектричної і напівпровідникової підсистем. Однією з умов виникнення вказаного ефекту є утворення потенціального бар'єру на границі зерен. Тому при синтезі матеріалів, в яких проявляється ПТКО ефект цілеспрямовано створюють умови, при яких формуються високоомні границі і напівпровідникові зерна кераміки. Це досягається, зокрема, введенням малих кількостей іонів, які відіграють роль донорів, в підгратку барію , або титану і окисленням границь зерен при спіканні кераміки. Відомо також, що при додатковому введені деяких акцепторних домішок (наприклад марганцю) значно покращуються властивості синтезованих матеріалів. В той же час багато питань залишаються не з'ясованими. Наприклад, невідомо, чому властивості сегнетоелектриків-напівпровідників залежать від природи рідкісноземельних елементів, які частково заміщують іони барію, чому тільки незначний процент введеної донорної домішки приймає участь в утворені ПТКО ефекту, які фази виникають на границі зерен при окислені СН, як впливають введені акцепторні домішки на властивості зерна, границі зерна і зовнішнього шару, який є перехідною областю між границею зерна і зерном. З'ясування вищезгаданих питань викликає значний науковий і практичний інтерес. З однієї сторони сегнетоелектрики-напівпровідники на основі титанату барію являються модельними об'єктами і на їх основі можливо вивчити відмінності властивостей зерен, границь зерен і їх вплив на властивості керамічних матеріалів. З другої сторони, ці дані дозволяють цілеспрямовано розробляти ПТКО матеріали з заданими параметрами.

В результаті проведених досліджень вивчались особливості утворення сегнетоелектриків-напівпровідників, які мають місце при частковому гетеровалентному заміщенні як в підградці барію, так і титану [17-20].

Встановлено хімічний склад фаз, які утворюються на границях зерен при окисленні і вияснена їх роль в виникненні ПТКО ефекту [21]. Ідентифіковані парамагнітні домішки у вихідних реагентах, які використовуються при синтезі сегнетоелектриків-напівпровідників і які при введенні донорної домішки приймають участь в процессах перезарядки [28] Тому, частина донорної домішки, яка тратиться на перезарядку акцепторних домішок не приймая участь в перезарядці титану, що є відповідальними за виникнення напівпровідникових властивостей в титианаті барію і являється необхідною умовою для створення ПТКО матеріалів.

Встановлено, що додаткове введення акцепторної домішки (марганцю) слабо впливає на властивості зерен кераміки. Марганець в основному розподіляється на границях і в зовнішньому шарі зерен [23-24]. Це значно покращує властивості ПТКО матеріалів (підвищує кратність зміни опору в області ПТКО ефекту і зменшує варисторний ефект). Встановлено, що при частковому ізовалентному заміщені барію в СН на основі титанату барію зменшується концентраційна область донорної домішки, в межах якої виникає ПТКО ефект [25-28]. При цьому зменшується середній розмір зерен, що дозволяє впливати на варисторний ефект. Показана можливість керування температурною залежністю питомого опору шляхом впливу на границю зерен, що досягалося введенням безкисневих домішок [29-31]. Отримані наукові результати лягли в основу розробки пристрою на основі сегнетоелектриків-напівпровідників для прискореного запуску дизельних двигунів в холодний період року, який впроваджується на казенному підприємстві “Харківське конструкторське бюро з двигунобудування”.

Іонні провідники

Кристалічні сполуки з іонною провідністю відомі вже давно. Але матеріали на їх основі, отримали значний інтерес тільки в останні десятиріччя, що зв'язано з відкриттям сполук, які мають високу іонну провідність, яка близька до провідності розчинів і розтопів сильних електролітів. Створені на основі цих сполук матеріали характеризуються унікальними властивостями і вже використовуються в таких областях нової техніки, як воднева енергетика, хімічні джерела струму, радіоелектроніка, контрольно-вимірювальні прилади спеціального призначення. Проте, в даний час відомо ще мало речовин з високою іонною провідністю, які стабільні щодо хімічної і механічної дії і другими специфічними властивостями. Тому актуальною задачею являється пошук оптимальних шляхів синтезу, вивчення структурних особливостей і електрофізичних властивостей відомих, а також пошук нових іон провідних матеріалів.

Нами вперше були розроблені літій провідні матеріали на основі перовскітних структур з високою провідністю по літію [32-33].

До початку наших досліджень висока літієва провідність в перовскитах не спостерігалась. В той же час, перовскітна структура має ряд передумов, які можуть помогти виникненню катіонної провідності. Це наявність структурних каналів, а також можливість виникнення структурних вакансій які локалізуються в структурних каналах. Можна допустити, що якщо малий іон літію розмістити в структурному каналі, то він зможе прийняти участь в переносі заряду. Але іон літію не задовольняє стеричним вимогам перовскітної структури (іон літію має малий іонний радіус) і тому перовскітна структура не утворюється. Наша ідея заключається в тому щоб розмістити в підгратці, іони якої локалізуються в структурних каналах, одночасно іони РЗЕ і іони літію. Основуючись на цій ідеї нами вперше були синтезовані літій провідні перовскіти на основі складних оксидів титану-лантану-літію, які характеризуються високим рівнем провідності по літію [32-36]. Показано, що рухливість літію можна описати перколяційною моделлю [37-39].

Розвиваючи ці ідеї нами вперше були синтезовані літій провідні матеріали на основі складних оксидів ніобію і танталу з дефектною перовскітною структурою [40-43]. Показано, що отримані сполуки характеризуються високою провідністю по іонам літію та надзвичайно високими величинами коефіцієнтів хімічної дифузії.

Крім того, в відділі досліджувались натрий-, калій-, рубідій- і цезій- провідні матеріали на основі поліалюмінатів і поліферитів [44-46]. На основі систематичних досліджень поліалюмінатів і поліферитів лужних матеріалів встановлені закономірності утворення сполук із структурою бета-глинозему, процеси утворення фаз, формування однофазної структури, кристалографічні особливості і електрофізичні властивості. На прикладі поліферитів калію, рубідію і церію і їх твердих розчинів досліджено вплив розмірів іонів лужних металів на формування фаз бета-глинозему, кристалохімічні особливості і електрофізичні властивості. Встановлено, що з ростом порядкового номеру лужного металу підвищується температура утворення однофазної структури типу бета-глинозему, збільшуються параметри елементарної комірки, зменшується іонна провідність. На частотно-температурній залежності діелектричних властивостей значно впливає електронна провідність, доля якої збільшується в ряду від калію до цезію.

Протон провідні матеріали розроблялися на основі амонійного Al₂O₃ [47]. Встановлено оптимальний час обміну, який дозволив досягнути практично повного заміщення іонів Na+ на NH3+. По данним ІЧ та ЯМР досліджень було зроблено висновок про наявність в структурі амонійного поліалюмінату двох типів протонів з різною провідністю. Вперше синтезовані протон провідні матеріали на основі амоній-заміщенних гексагональних вольфрамових бронз [48].

Методи формування наноструктур.

В останній час в відділі ведуться дослідження, які направлені на формування наноструктур. Це пов’язано з тим, що використовуючи наноструктури можна отримати властивості, які не можливо досягнути в об’ємних системах.

У наносвіті виникли різні підходи до формування наноструктур: низхідний метод базується на відсіканні або додаванні об'ємних матеріалів до поверхні (одним з прикладів є мікрочіпи з доріжками завширшки близько 100 нанометрів); висхідний метод використовує процеси самоорганізації для збирання більших структур (синтез наночасток, нанотрубок, графітових циліндрів). Крім того, в залежності від структури сполук (молекулярна чи немолекулярна) розвиток отримали атомно-молекулярна архітектура наноструктур (для яких характерний ближній порядок) і кристалохімічний дизайн наноструктур, для яких характерний дальній порядок.

В відділі проводяться дослідження, направлені на синтез наночасток стабілізованого оксиду цирконію і гексафериту барію (висхідний метод) і формування наноструктур шляхом кристалохімічного дизайну.

Синтез нанорозмірного оксиду цирконію обумовлений необхідністю покращення характеристик матеріалів на основі оксиду цирконію, що дозволило би значно розширити межі його використання. У вирішальному ступені це зв'язано з розробкою нанозернистої кераміки з правильним розподілом часток і однорідною конфігурацією міжзеренних границь. Таку мікроструктуру можна реалізувати при використанні в якості вихідних матеріалів нанодисперсних рівномірних по розміру й формі часток. Використання таких нанокристалічних часток як вихідних компонентів дозволяє значно знизити температуру спікання кераміки й отримати нанокераміку, що приведе до значного економічного ефекту й підвищення технічних характеристик конструкційних і функціональних матеріалів на основі оксиду цирконію. Крім того, синтез нанокристалічного оксиду цирконію має велике самостійне значення і може привести до створення високоефективних каталізаторів для ряду важливих технологічних процесів.

Нами ведеться розробка ефективного методу синтезу нанокристалічного оксиду цирконію, який забезпечує високу однорідність наночасток [49-50]. Вивчаються процеси, які супроводжують утворення наночасток [51], досліджуються причини деградації структури нанокристалічних порошків оксиду цирконію [52-53].

Ведеться пошук ефективних стабілізаторів оксиду цирконію, використання яких зменшило б деградацію, знизило би температуру спікання кераміки. Зокрема, проведено дослідження умов осадження гідроксидів Zr-Y, Zr-Y-Fe, Zr-Y-Ce та поліморфний склад, деградацію структури і дисперсність порошків оксиду цирконію. На основі цих даних розроблено метод синтезу нанодисперстних порошків (10-50 нм) з високою фільтруємістю осадів з ефектом розсипчастості порошків після термообробки, які не потребують додаткового помелу. Попередні результати показали, що шляхом використання наночасток оксиду цирконію можна одержати кераміку з практично теоретичною густиною при відносно низький температурі (~1350^оС).

Значний інтерес представляє розробка наночасток феромагнітних матеріалів, які мали б різну форму (голки, пластинки, ізотропні), що необхідно при створенні різноманітних форм магнітного запису. Вивчаючи швидкість стадій зародження центрів кристалізації і дифузного росту часток нами знайдені умови, які дозволяють отримати нанокристалічні частки модифікованого і не модифікованого гексафериту барію методом осадження із розчинів [54-56]. Показано, що змінюючи співвідношення різновалентних іонів заліза в розчині, можна впливати на форму первинних кристалів, тим самим задавати форму часток кінцевого продукту [57]. Особливості умов формування нанокристалічного гексафериту барію вивчаються з використанням методів Месбауеровської спектроскопії, електронної спектроскопії, рентгенівського фазового і повнопрофільного аналізу.

Формування наноструктур шляхом кристалічного дизайну досліджувались на прикладі складних оксидів титану, рідкісноземельних, лужних і лужноземельних елементів. При цьому цілеспрямовано проводилось керування кількістю структурних вакансій, змінювались розміри структурних каналів, розміщували іони в кристалографічні положення, в яких не виконується стерині умови, впливали на упорядкування заряду в кристалічних підгратках. Це дозволило вперше в межах одного структурного типу близьких хімічних складів змінювати властивості від надвисокочастотних діелектриків до катіонних провідників і напівпровідників [58]. Такий підхід виявився надзвичайно ефективним при розробці матеріалів з важливими властивостями.

Література:

1. Чалий В.П. Гідроксиди металів. –Київ: Наукова думка, 1972. 154 с.
2. Поплавко Ю.М. Фізика діелектриків. –Київ: Вища школа, 1980. 398 с.
3. Belous A., Ovchar O., Valand M., Suvorov D. //J. Mater. Res. -2001. -16, № 8. -P. 2350-2356.
4. Belous A. // J. of the European Ceramic Society -2001. -21. -P. 2717-2722.
5. Kolodiazhuyi T.V., Petric A., Johari G., Belous A. // J. of the European Ceramic Society. -2002. -22. -P. 2013-2021.
6. Belous A., Ovchar O., Valant M., Suvorov D. // J. of Applied Physics. –2002. –92, № 7. -P. 3917-3922.
7. Kolodiazhuyi T., Petric A., Belous A., V`yunov O., Yanchevskii O. // J. Mater. Res. –2002. -17, № 12. -P. 3182-3189.
8. Белоус А., Овчар О. // Укр. хим. журн. -1995. –61, № 10. -C. 73-76.
9. Belous A., Ovchar O. // J. of the European Ceramic Society. –1999. –19, –P. 1119-1122.
10. Belous A., Ovchar O. // Key Engineering Materials. -1997. -132-136. -P. 1091-1194.
11. Belous A., Ovchar O., Valant M., Suvorov D., Kolar D. // J. of the European Ceramic Society. –2001. -21. –P. 2723-2730.
12. Белоус. А., Пашкова Е., Веневцев Ю., Цыкалов В., Поплавко Ю. // Электронная техника. Серия Электроника СВЧ. –1981. -331. -C. 45-46.
13. Горников Ю., Макарова З., Белоус А., Гаврилова Л., Пашков В. // Укр. хим. журн. -1984. -50, -C. 1243-1245.
14. Бутко В., Белоус А., Евтушенко Н. // Физика твердого тела. –1986. -28, № 4. -C. 1181-1183.
15. Belous A., Tsykalov V., Ovchar O., Stypin Y. // Proccedings of International Conference on Electronic Ceramics and Applications. Portugal. –1996. book 2, -P. 77-80.
16. Tsykalov V., Belous A., Ovchar O., Stypin Y. // Proccedings of 27th Europeam Microwave Conference. Jerusalem. –1997. –1. -P. 544-549.
17. Belous A., V`yunov O. // Proccedings of International Conference on Electronic Ceramics and Applications. Portugal. –1996. book 2. –P. 557-560.
18. Belous A., V`yunov O., Yanchevskii O., Kovalenko L. // Key Engineering Materials. –1997. -132-136. -P. 1313-1316.
19. Белоус А., Вьюнов О., Хоменко Б. // Неорганические материалы. -1998. -34, № 5. -C. 1-5.
20. Белоус А., Вьюнов О. // Неорганические материалы. –1996. –32, № 8. -C. 998-1002.
21. V`yunov O., Belous A. //J. of the European Ceramic Society. –1999. -19. -P. 935-938.
22. Glinchuk M., Bykov I., Kornienko S., Laguta V., Slipenyuk A., Belous A., V`yunov O., Yanchevskii O. // J. Mater. Chemistry. -2000. -10. -P. 941-947.
23. Вьюнов О., Коваленко Л., Белоус А., Беляков В. // Неорганические материалы. -2003. –39, № 2. -C. 245-252.
24. Belous A., V`yunov O., Kovalenko L. // Materials Research Bulletin. -2004. –39, № 2. -P. 297-308.
25. Белоус А., Янчевский О., Вьюнов О., Коваленко Л. // Укр. хим. журн. -1998. –64, № 11. -C. 3-7.
26. Belous A., V`yunov O., Kovalenko L. // Ferroeleckrics. -2001. -254, -P. 91-99.
27. Белоус А., Вьюнов О., Коваленко Л., Buscaglia V., Viviani H., Nanni P. // Неорганические материалы. –2003. –39, № 2. -C. 181-186.
28. Янчевский О., Вьюнов О., Белоус А. // Неорганические материалы. -2003. –39, № 6. -C. 761-768.
29. Белоус А., Вьюнов О., Коваленко Л. // Укр. хим. журн. -1996. –62, № 6. -C. 75-78.
30. Коваленко Л., Вьюнов О., Хоменко Б., Янчевский О., Белоус А. // Укр. хим.журн.-1998. –64, № 1. -C. 1-5.
31. Коваленко Л., Вьюнов О., Хоменко Б.,Янчевский О., Белоус А. // Укр. хим.журн. -1998. –64, № 3. -C. 13-18.
32. Белоус А., Бутко В., Новицкая Г., Полянецкая С., Хоменко Б., Поплавко Ю. // Укр. физ.журн. -1986. –31, № 4. -C. 576-581.
33. Белоус А., Новицкая Г., Полянецкая С., Горников Ю. // Неорганические материалы. -1987. –23, № 3. -C. 470-472.
34. Belous A. // Solid State Ionics. –1996. –90. -P. 193-196.
35. Belous A. // J. of the European Ceramic Society. –2001. –21, -P. 1797-1800.
36. Belous A. // Ionics. –1998. –4, № 5-6. -P. 360-363.
37. Rivera A., Leon C., Santamaria J., Varez A., Belous A. // Chem. Mater. –2002. –14, -P. 5148-5152.
38. Belous A., Pashkova E., Gavrilenko O., V`yunov O., Kovalenko L. // Ionics. -2002. -9. -P. 21-27.
39. Sanz J., Rivera A., Leon C., Santamaria J., Varez A., V`yunov O., Belous A. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -2003. -756. -P. EE 2.3.1.-2.3.6.
40. Белоус А., Дидух И., Новосадова Е., Пашкова Е. //Физика твердого тела. -1986. –28, вып. 10. -C. 3230-3232.
41. Belous A. // Ionics. –1997. -3. № 1-2. -P. 117-121.
42. Белоус А., Гавриленко О., Пашкова Е., Мирный В. // Электрохимия. -2002. –38, № 4. -C. 479-484.
43. Гавриленко О., Белоус А., Пашкова Е., Мирный В. // Неорг. материалы. -2002. –38, № 9. -C. 1126-1130.
44. Белоус А., Новосадова Е., Дидух И., Пашкова Е. // Неорг. матер. –1987. –23, № 9. -C. 1532-1537.
45. Белоус А., Новосадова Е., Дидух И., Хоменко Б. // Укр. хим.журн. –1987. –53, № 10. –C. 1018-1021.
46. Белоус А., Дидух И., Новосадова Е. // Неорг. матер. –1987. –23, № 12. –C. 2045-2048.
47. Белоус А., Голего Н., Чернухин С., Новицкая Г. // Укр. хим. журн. -1996. –62, № 4. –C. 73-77.
48. Белоус А., Голего Н., Данильченко К. // Укр. хим. журн. –1996. –62, № 2. –C. 75-78.
49. Белоус А., Пашкова Е., Макаренко А., Хоменко Б. // Неорг. матер. –1997. –33, № 1. –C. 52-55.
50. Белоус А., Пашкова Е., Макаренко А., Хоменко Б., Пищай И. // Неорг. матер. –1997. –33, № 12. –C. 1469-1474.
51. Белоус А., Пашкова Е., Макаренко А., Хоменко Б., Васильев А. // Неорг. матер. –2001. –37, № 3. –C. 314-319.
52. Белоус А., Пашкова Е., Макаренко А., Хоменко Б. // Неорг. матер. –1999. –35, № 11. –C. 1341-1343.
53. Makarenko A., Belous A., Pashkova E. // J. of the European Ceramic Society. –1999. -19. -P. 945-947.
54. Пашкова Е., Белоус А., Елшанский В., Дидух И., Хоменко Б. // Журн. неорг. химии. -1997. –42, № 7. –C. 1079-1084.
55. Белоус А., Иваницкий В., Елшанский В., Пашкова Е. // Журн. неорг. химии. -1998. –43, № 4. –C. 588-591.
56. Белоус А., Елшанский В., Пашкова Е., Иваницкий В. // Неорг. матер. –1999. –35, № 2. –C. 227-232.
57. Белоус А., Пашкова Е., Елшанский В., Иваницкий В. // Неорг. матер. –2000. –36, № 4. –C. 431-439.
58. Белоус А. // Теоретическая и экспериментальная химия. –1998. –34, № 6. –C. 331-346.