Белоус Анатолий Григорьевич

БЕЛОУС
Анатолий Григорьевич

1951 года рождения, доктор химических наук, член-корреспондент Национальной Академии Наук Украины, зав. отделом Химии твердого тела Института общей и неорганической химии НАН Украины. В 1974 году закончил Киевский политехнический институт. С 1974 по 1977 года - аспирант Физико-химического института имени Карпова (город Москва). Защитил кандидатскую диссертацию в 1978 году. С 1978 года Анатолий Григорьевич Белоус работает в Институте общей и неорганической химии имени Вернадского Национальной Академии наук Украины. В 1991 году защитил докторскую диссертацию. Телефон/факс: +380 44 4242211. E-mail: belous@ionc.kar.net.

Профессор Белоус является известным ученым в области неорганической химии и материаловедения, научные исследования которого направленные на изучение условий образования, структуры, свойств сложных оксидных систем и разработке на их основе высокоэффективных функциональных материалов для систем связи, машиностроения и других областей производства. В результате проведенных исследований полученные значительные научные и практические результаты.

Синтезировано больше 160 новых составов и материалов, в частности:

со структурой типа перовскита;

со структурой типа тетрагональной калиево-вольфрамовой бронзы;

со слоистой перовскитоподобной структурой;

со шпинелеподобной структурой.

Впервые показано, что в границах перовскитоподобной структуры путем гетеровалентного замещения можно изменять свойства оксидных систем близких химических составов от диэлектриков до катионных проводникам и полупроводников. Разработан метод управления электрофизическими свойствами оксидных систем с перовскитоподобной структурой, который базируется на регулировании концентрации структурных вакансий, влияния на фононный спектр, размещенные ионов в кристаллографических положениях, для которых не выполняются стерические требования, которые достигается частичным гетеровалентным замещением в катионных подрешетках.

Изучены условия образования полупроводниковых фаз в сегнетоэлектрическом титанате бария при гетеровалентном замещении титана элементами V, VI групп и бария редкоземельными элементами. Показаны пути управления размерами зерен сегнетоэлектрической-полупроводниковой керамики, что позволяет влиять на величину варисторного эффекта. Полученные результаты позволяют создавать термостабилизированные керамические нагревающие элементы разнообразного назначения.

На основе изучения процессов осаждения, фаз образования и кристаллизации гидроксидов и оксидов сложных оксидных систем (ферриты, алюминаты, цирконаты, титанаты) установлены закономерности формирования микрочастиц с заданной формой (включая анизотропию формы). Разработанный метод синтеза мелкозернистых частиц оксидных систем позволяет более чем на порядок увеличить скорость фильтрации и промывки, исключить операцию механического размола.

На основе синтезированных оксидных систем разработаны керамические материалы и элементы разнообразного функционального назначения, сверхвысокочастотные керамические резонаторы и диэлектрические подложки для гибридных интегральных схем, которые используются в аппаратуре систем связи, низковольтные термостабилизированные керамические нагревающие элементы для двигателей внутреннего сгорания и дизельных двигателей, высококоэрцитивные мелкозернистые порошки с заданной формой частиц для систем магнитной записи.

Белоус Анатолий Григорьевич является автором 229 научных публикаций, среди которых 53 авторских свидетельства; подготовил 6 кандидатов наук; является членом Ученого совета Института общей и неорганической химии НАН Украины, членом специализированного совета Д 26.218.01 по защите докторских диссертаций по химическим наукам при Институте общей и неорганической химии НАН Украины, членом специализированного совета Д 26.002.08 по защите докторских диссертаций по техническим наукам при Национальном техническом университете Украины “Киевский политехнический институт”, читает курсы лекций “Химия материалов” и “Физическая химия поверхности полупроводников” (Национальный технический университет Украины, КПИ).